Protección contra polaridad inversa

La protección contra polaridad inversa es una de esas cosas que añades en cualquier diseño con alimentación DC casi de forma automática.

¿La solución clásica?
👉 Un diodo rectificador en serie con la fuente. O, si quieres reducir caídas y pérdidas, un diodo Schottky.

Funciona, es simple y robusto… pero tiene limitaciones:
❌ Caída de tensión permanente (0.2–0.3 V).
❌ Pérdida de energía constante (calor e ineficiencia).

Esto puede ser un problema en algunas aplicaciones:
🔋 Sistemas de ultra-bajo consumo, donde cada mW cuenta.
⚡ Aplicaciones de alta corriente, donde las pérdidas se vuelven significativas.
🔌 Sistemas con margen de tensión ajustado (por ejemplo, 5 V para un Raspberry Pi donde no puedes permitir perder 0.3 V).

En estos casos, un MOSFET P usado como “diodo ideal” es una opción mucho mejor. Permite proteger contra polaridad inversa con:
✅ Caída de tensión muy baja (solo I × Rds(on)).
✅ Reducción drástica de la pérdida de energía.

En la práctica, la caída deja de ser 0.2–0.3 V y pasa a ser típicamente solo unos pocos mV.

⚠️ Dos detalles importantes:
1️⃣ Los MOSFET P suelen tener una tensión máxima Vgs de ±20 V. Si los voltajes de tu diseño pueden superar ese límite, añade un diodo Zener y una resistencia limitadora para proteger la puerta.
2️⃣ Orientación del MOSFET P: es justo la contraria a la típica de un high-side switch.

Un pequeño cambio de diseño que puede mejorar eficiencia y comportamiento térmico de manera notable.